专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2019-03-19 公布专利
2019-03-15 公布专利
2019-03-12 公布专利
2019-03-08 公布专利
2019-03-05 公布专利
2019-03-01 公布专利
2019-02-26 公布专利
2019-02-22 公布专利
2019-02-19 公布专利
2019-02-15 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]跨越多个设备共享的自动无缝上下文-CN201380054037.6有效
  • 美国- 英特尔公司
  • 2013-06-07 - 2019-03-19 - H04W88/02
  • 本公开总体描述用于跨越多个设备的自动上下文共享的系统和新濠天地线上娱乐的实施例。在一些实施例中,提供一种应用程序上下文信息传递技术,其能够检测用户何时从静止或固定位置计算设备离开或向静止或固定位置计算设备移动,并将应用程序的上下文信息传递到移动设备或从移动设备传递。在设备之间传递的应用程序内容信息可以包括允许用户继续在移动设备上的计算设备活动,或者继续在计算设备上的移动设备活动,诸如编辑文档、读取网站文章,或观看视频流。本文描述的技术可以用于自动操作设备之间的这种应用程序上下文信息的传递。
  • 跨越设备共享自动无缝上下文
  • [发明专利]在硅鳍状物的(111)平面上形成III-V族器件结构-CN201380079142.5有效
  • 美国- 英特尔公司
  • 2013-09-25 - 2019-03-19 - H01L29/778
  • 描述了形成高电压(111)硅纳米结构的新濠天地线上娱乐。这些新濠天地线上娱乐和结构可以包括:在硅鳍状物结构的(111)表面上形成III‑V族器件层;在III‑V族器件层上形成2DEG诱导平坦化层;在硅鳍状物的末端端部上在III‑V族器件层的一部分上形成源极材料/漏极材料。可以去除硅鳍状物的在源极与漏极区域之间的中间部分,并且采用电介质材料回填,以及随后可以在III‑V族器件层上形成栅极电介质和栅极材料。
  • 硅鳍状物111平面形成iii器件结构
  • [发明专利]具有Ⅲ-Ⅴ族材料有源区和渐变栅极电介质的半导体器件-CN201380079113.9有效
  • 美国- 英特尔公司
  • 2013-09-27 - 2019-03-19 - H01L29/778
  • 本发明描述了具有Ⅲ‑Ⅴ族材料有源区和渐变栅极电介质的半导体器件以及制造这种器件的新濠天地线上娱乐。在示例中,半导体器件包括设置在衬底上方的Ⅲ‑Ⅴ族材料沟道区。栅极叠置体设置在所述Ⅲ‑Ⅴ族材料沟道区上。所述栅极叠置体包括直接设置在Ⅲ‑Ⅴ材料沟道区与栅极电极之间的渐变高k栅极电介质层。所述渐变高k栅极电介质层在邻近所述Ⅲ‑Ⅴ材料沟道区处具有较低的介电常数,并且在邻近所述栅极电极处具有较高的介电常数。源极区/漏极区设置在所述栅极叠置体的任一侧上。
  • 具有材料有源渐变栅极电介质半导体器件
  • [发明专利]多接收机帧聚合-CN201510501682.9有效
  • 美国- 英特尔公司
  • 2009-03-09 - 2019-03-15 - H04W28/06
  • 当在无线通信网络中使用多接收机聚合协议时,可以使用子报头来识别共享共同的参数(例如目的地地址、确认模式、调制/编码速率、长度等)的数据单元的组。该子报头的布局可以允许每一个接收设备识别寻址该接收设备的聚合的有效载荷的部分、所述部分位于何处、所述部分的长度、以及如何对其进行解调。此外,通过控制由移动台使用的各种确认模式的选择和时序,基站可以提高整个网络的效率和吞吐量。
  • 接收机聚合

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