专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2019-06-07 公布专利
2019-06-04 公布专利
2019-05-31 公布专利
2019-05-28 公布专利
2019-05-24 公布专利
2019-05-21 公布专利
2019-05-17 公布专利
2019-05-14 公布专利
2019-05-10 公布专利
2019-05-07 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]填充结构以及填充新濠天地线上娱乐-CN201310524371.5在审
  • 上海- 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2013-10-29 - 2015-04-29 - H01L23/532
  • 本发明揭示了一种填充结构,包括:半导体基底,所述半导体基底中具有;钨层,所述钨层位于所述半导体基底上,并覆盖所述;阻挡层,所述阻挡层位于所述钨层上,并覆盖所述;金属层,所述金属层位于所述阻挡层上,并填充所述。本发明还提供一种填充新濠天地线上娱乐。由于所述钨层的填隙能力较强,在所述钨层上制备所述阻挡层时,较薄的所述阻挡层可以很好的覆盖所述,并且所述阻挡层的厚度均匀;当在所述阻挡层上再制备金属层时,所述金属层能很好的填充到所述中;另外,所述钨层的导电能力好于所述阻挡层的导电能力,并且所述阻挡层较薄,有利于提高的导电能力。
  • 填充结构以及新濠天地线上娱乐
  • [发明专利]刻蚀新濠天地线上娱乐及掩膜-CN200710040254.6有效
  • 上海- 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2007-04-24 - 2008-10-29 - H01L21/311
  • 一种刻蚀新濠天地线上娱乐,包括:提供刻蚀基底;在所述刻蚀基底上形成图形化的抗蚀剂层,所述图形化的抗蚀剂层暴露部分所述刻蚀基底;沉积辅助掩膜层,所述辅助掩膜层覆盖所述图形化的抗蚀剂层和所述图形化的抗蚀剂层暴露的部分所述刻蚀基底;刻蚀所述辅助掩膜层,以形成包含辅助掩膜的掩膜;利用所述掩膜刻蚀所述刻蚀基底,以形成。一种掩膜,包括:具有确定图形的抗蚀剂层,所述具有确定图形的抗蚀剂层暴露部分刻蚀基底;以及,辅助掩膜,所述辅助掩膜覆盖所述具有确定图形的抗蚀剂层的侧壁。在固有掩膜基础上,增加一辅助掩膜,以减小固有条件下掩膜的图形尺寸,利于利用所述掩膜形成具有扩展的尺寸极限的
  • 刻蚀新濠天地线上娱乐通孔掩膜
  • [实用新型]机构-CN201620633194.3有效
  • 江苏- 金榀精密工业(苏州)有限公司
  • 2016-06-24 - 2017-03-15 - B23D79/00
  • 本实用新型为一种机构,包括设置于安装板上的第一立板、设置于所述第一立板上的气缸、连接于所述气缸其气缸轴的且与转盘组件配合使用的柱、以及通过第一装置板设置于所述第一立板上的且与其上开设有与所述柱相对应且相匹配的防带起槽的防带起板本实用新型的一种机构,其能自动进行铝铸件的毛刺去除,提高生产效率降低对人力资源的占用,且铝铸件的生产速率可控,便于企业自动化生产的实施。
  • 机构
  • [实用新型]铆钉-CN201320654080.3有效
  • 福建- 裕兴螺丝(厦门)工业有限公司
  • 2013-10-23 - 2014-06-04 - F16B19/04
  • 本实用新型公开了一种铆钉,该铆钉结果简单,铆接稳固。该铆钉包括铆钉体,所述铆钉体上端设置有平头,所述平头具有的半径大于所述铆钉体具有的半径,所述铆钉体设置有中央,所述中央外壁上设置有由底部向上沿轴向延伸的开口槽。本实用新型所述的铆钉,结构简单,通过设置中央可以较少铆钉的质量,同时节约生产材料,降低生产成本。在中央的内壁上设置有开口槽,因此可以使得铆接更加稳固。
  • 铆钉
  • [发明专利]结构-CN201210269395.6有效
  • 中国台湾- 南亚科技股份有限公司
  • 2012-07-31 - 2013-02-06 - H01L23/528
  • 本发明公开了一种结构,包括至少第一组以及第二组,而与第一组电连接。在第一组中有至少一第一,而第二组中有至少一第二。第一组中的第一,其第一横截面积大于第二组中第二的第二横截面积。借此,结构在高电流下可具有更高的可靠性。
  • 结构
  • [实用新型]塞子-CN201320639000.7有效
  • 浙江- 宁波圣龙汽车动力系统股份有限公司
  • 2013-10-16 - 2014-04-16 - F16J15/06
  • 本实用新型公开了一种塞子,它包括与大小相匹配的圆柱形的塞子本体(1),其特征在于:所述塞子本体(1)轴线位置的开口朝上方向上设有一个槽(3),所述槽(3)内设有使所述槽(3)的侧壁朝外顶出的挤压块,所述挤压块的横截面的直径大于所述槽(3)直径且小于所述直径。采用本实用新型结构,无需对进行二次加工,减少并简化了工序,并且对的损伤较小、密封效果好。
  • 塞子
  • [发明专利]导电结构-CN201610405842.4在审
  • 中国台湾- 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2011-10-19 - 2016-09-21 - H01L23/31
  • 半导体器件的示例性结构包括衬底;位于该衬底上方的接触焊盘;在该衬底上方延伸并在该接触焊盘上方具有开口的钝化层,该开口具有第一宽度;在该开口内的导电;和具有完全覆盖导电的第二宽度的导电柱,其中第一宽度与第二宽度的比值是约本发明还提供了一种导电结构。
  • 导电结构
  • [发明专利]刻蚀新濠天地线上娱乐-CN200610119159.0有效
  • 上海- 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2006-12-05 - 2008-06-11 - H01L21/311
  • 一种刻蚀新濠天地线上娱乐,包括:在半导体衬底上形成刻蚀基底;在所述刻蚀基底上沉积牺牲层;刻蚀所述牺牲层;沉积填充层,所述填充层覆盖牺牲层及所述刻蚀基底;执行一热氧化或氮氧化制程;在热氧化或氮氧化后的所述填充层上沉积介质层;去除覆盖牺牲层上表面的所述介质层和热氧化或氮氧化后的所述填充层;刻蚀牺牲层,形成。通过在刻蚀后的牺牲层上预先沉积一填充层,以密封沉积牺牲层时在其内部产生的孔洞,进而通过一热氧化或氮氧化制程形成部分或全部侧壁层,可在刻蚀所述牺牲层时不再存在所述侧壁层材料形成的阻挡层,去除此刻蚀开路缺陷
  • 刻蚀新濠天地线上娱乐
  • [发明专利]结构-CN201210114818.7有效
  • 上海- 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2012-04-18 - 2013-10-30 - H01L21/768
  • 一种硅结构,包括:衬底;至少一个的硅阵列,所述硅阵列包括多个贯穿衬底的硅;连接多个硅的第一导电线、第二导电线和第三导电线,其中,所述第一导电线沿第一方向连接多个硅,所述第二导电线沿第二方向连接多个硅,第一方向不同于第二方向,且第三导电线在所述硅阵列边角连接第一导电线和第二导电线,使得沿第一方向的应力和第二方向的应力互相抵消。本发明提供的硅结构应力小,封装质量佳。
  • 硅通孔结构
  • [发明专利]导电结构-CN201110324369.4无效
  • 中国台湾- 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2011-10-19 - 2012-11-28 - H01L23/498
  • 半导体器件的示例性结构包括衬底;位于该衬底上方的接触焊盘;在该衬底上方延伸并在该接触焊盘上方具有开口的钝化层,该开口具有第一宽度;在该开口内的导电;和具有完全覆盖导电的第二宽度的导电柱,其中第一宽度与第二宽度的比值是约本发明还提供了一种导电结构。
  • 导电结构

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